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橢圓計（膜厚測定多層膜解析光弾性測定）　M-series

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產品簡介

橢圓率計（測量膜厚多層膜解析測量光彈性）　M-series▼概要日日本分光制的橢圓計配有日本分光產的PEM雙重鎖定方式和光伺服?光參考方式，實現高速性和高安定性

詳細介紹

橢圓率計 （測量膜厚 多層膜解析 測量光彈性）　M-series

▼概要
日日本分光制的橢圓計配有日本分光產的PEM雙重鎖定方式和光伺服?光參考方式，實現高速性和高安定性。由于偏光素子的軸配置適合特別薄的膜和微小的偏光測量，所以主要用于向高集積化和高精細化發(fā)展的半導體及高機能光學薄膜等材料的評價。
◆規(guī)格
▼M-210/220/230/240/550/ELC-300

型號	M-210	M-220	M-230	M-240	M-550	ELC-300
測量方法	PEM雙重鎖定方式、光伺服/光參照控制方式
分光器	-	雙單色器自動波長驅動裝置		雙單色器（260～900nm）單單色器（900～1700nm）自動波長驅動裝置	單單色器自動波長驅動裝置	雙單色器自動波長驅動裝置
測量波長	He-Ne激光 (632.8nm)	He-Ne激光(632.8nm) Xe光源 (260～860nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (240～700nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (26～900nm) 鹵素燈 (900～1700nm)	Xe光源 (350～800nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (260～860nm)
入射角范圍	40゜～ 90゜連續(xù)自動設定（0.01゜間隔）				45゜～ 90゜連續(xù)自動設定（0.01゜間隔）	40゜～ 90゜連續(xù)自動設定（0.01゜間隔）
膜厚測量范圍	0～99999?
測量時間	1msec以上					20μsec～16sec
測量準確度^*	屈折率　±0.01
	膜厚　±1?
	消衰係數　±0.01
	*準確度是指測量時間100msec以上。另外、根據表面狀態(tài)、膜質不同準確度也不同。
樣品室	樣品垂直放				樣品水平放	樣品垂直放
檢測器	檢光子（Glan-Taylor棱鏡）紫外可見區(qū)域：光電子倍増管　近紅外區(qū)域：InGaAs-PIN光電二極管（M-240）

▼軟件

主機標準

1.時間變化測量
2.膜厚測量
3.Δ-Ψ模擬
4.光譜測量?解析^*1
5.誘電率計算^*1
6.反射率計算^*1
*1 M-210型號不是分光型不可使用

選項程序

1. 映射測量（自動X-θ帶映射臺）
2.多層膜解析^*2
3.多入射角測量
4.靈敏度模擬^*2
5.波長Cauchy光譜^*3
6.橢圓率測量?解析、測量波長固定復屈折（帶異方性解析臺）^*3
7.測量3次元屈折率（需要異方性解析臺）^*3
8.測量光弾性定數（帶光弾性測量用透過臺）^*3
*2 M-210不是分光型的不能使用
*3 M-550不能測量透過不能使用。

◆規(guī)格
▼M-210/220/230/240/550/ELC-300

型號	M-210	M-220	M-230	M-240	M-550	ELC-300
測量方法	PEM雙重鎖定方式、光伺服/光參照控制方式
分光器	-	雙單色器自動波長驅動裝置		雙單色器（260～900nm）單單色器（900～1700nm）自動波長驅動裝置	單單色器自動波長驅動裝置	雙單色器自動波長驅動裝置
測量波長	He-Ne激光 (632.8nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (260～860nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (240～700nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (26～900nm) 鹵素燈 (900～1700nm)	Xe光源 (350～800nm)	He-Ne激光 (632.8nm) Xe光源 (260～860nm)
入射　角范圍	40゜～ 90゜連續(xù)自動設定（0.01゜間隔）				45゜～ 90゜連續(xù)自動設定（0.01゜間隔）	40゜～ 90゜連續(xù)自動設定（0.01゜間隔）
膜厚測量范圍	0～99999?
測量時間	1msec以上					20μsec～16sec
測量準確度^*	屈折率　±0.01
	膜厚　±1?
	消衰係數　±0.01
	準確度是指測量時間100msec以上。另外、根據表面狀態(tài)、膜質不同準確度也不同。*
樣品室	樣品垂直放				樣品水平放	樣品垂直放
檢測器	檢光子（Glan-Taylor棱鏡）紫外可見區(qū)域：光電子倍増管　近紅外區(qū)域：InGaAs-PIN光電二極管（M-240）