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聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 紡織服裝機(jī)械網(wǎng)一、公司介紹日本Crestec公司在東京成立于1995年，我們交付了EB光刻系統(tǒng)，遍布50多個(gè)客戶。我們也提供EB代工服務(wù)。部分客戶包括：湖南大學(xué)（中國(guó)）、上海應(yīng)用物理研究所（中國(guó)）、西安交通大學(xué)（中國(guó)）、香港城市大學(xué)（香港）、工業(yè)技術(shù)研究院 (ITRI)（中國(guó)臺(tái)灣）、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 (AIST) （日本）、東
一、公司介紹
日本Crestec公司在東京成立于1995年，我們交付了EB光刻系統(tǒng)，遍布50多個(gè)客戶。我們也提供EB代工服務(wù)。
部分客戶包括：
湖南大學(xué)（中國(guó)）、上海應(yīng)用物理研究所（中國(guó)）、西安交通大學(xué)（中國(guó)）、香港城市大學(xué)（香港）、工業(yè)技術(shù)研究院 (ITRI)（中國(guó)臺(tái)灣）、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所 (AIST) （日本）、東京大學(xué)（日本）、豐田技術(shù)研究所 （日本）、豐橋工業(yè)大學(xué)（日本）、東北大學(xué)（日本）、三重大學(xué)（日本）、大阪大學(xué)（日本）、東京工業(yè)大學(xué)（日本）、理工大學(xué)（PTU-日本）、富山縣立大學(xué)（日本）、加州大學(xué)伯克利分校（美國(guó)）、Rubio Pharma y Asociados and RD Research & Technology（墨西哥）、劍橋大學(xué)（英國(guó)）、巴伊蘭大學(xué)（以色列）、阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)（沙特阿拉伯）、莫斯科物理技術(shù)學(xué)院（俄羅斯）、薩拉托夫國(guó)立大學(xué)（俄羅斯）、ICFO – 光子科學(xué)研究所（西班牙）、馬德里理工大學(xué)（西班牙）、CNR 萊切（意大利）、卡坦扎羅大希臘大學(xué)（意大利）、海得拉巴大學(xué)（印度）
二、日本CRESTEC電子束光刻系統(tǒng)（EBL）
納米光刻技術(shù)在微納電子器件制作中起著關(guān)鍵作用,而電子束光刻在納米光刻技術(shù)制作中是方法之一。日本CRESTEC公司為21世紀(jì)納米科技提供 的電子束納米光刻（EBL）系統(tǒng)，或稱電子束直寫(xiě)（EBD）、電子束爆光系統(tǒng)。
型號(hào)包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小線寬可達(dá)8nm，最小束斑直徑2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技術(shù)參數(shù)：
1.最小線寬：小于10nm（8nm available)
2.加速電壓：5-50kV
3.電子束直徑：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圓尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描電鏡分辨率：小于2nm
主要特點(diǎn)：
1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的TFE電子槍
2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)
3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù)，電子束定位分辨率（address size)可達(dá)0.0012nm
4.采用軸對(duì)稱圖形書(shū)寫(xiě)技術(shù)，圖形偏角分辨率可達(dá)0.01mrad
5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如微納器件加工，Si/GaAs 兼容工藝，研究用掩膜制造，納 米加工（例如單電子器件、量子器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測(cè)量等。
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